三星着急，跳跃前进

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存储半导体市场发展日新月异。也许是受中国同行的竞争压力，三星决定跳跃式开发DRAM新制程产品。
近日消息称，三星已通知半导体研究人员，决定跳过或放弃1b DRAM（第五代 10 nm级，12nm）开发，预计在今年6月前，完成1c DRAM（第六代10nm级，11 nm）开发目标，拉开与对手的差距。
三星放弃1b DRAM 开发后，立即加速开发1c DRAM 产品，业内认为这是三星用来扩大与竞争对手SK 海力士和美光等竞争对手技术差距的重大策略，但是笔者认为这也是受中国同行的挤压。
不过看客们不要小看三星或者嘲笑三星，这并非是三星第一次跳过DRAM开发节点，挑战更高技术。此前三星就放弃了28nm DRAM 量产，转向25nm DRAM 产品开发。但是，三星要仿照以前方法，但是10nm级区间做同样的事并不容易，必须有比过去更先进的技术才能达成。
三星面临要领先其他公司开发 1c DRAM 的压力，因三星 1a DRAM（第四代 10nm级）产品开发与量产落后竞争对手，不过三星仍扳回颓势，成功量产比竞争对手体积更薄的 1a DRAM。